功率MOSFET有二种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选
2024-10-30 15:24
、电机驱动等领域中扮演着至关重要的角色。与双极型功率器件相比，功率MOSFET凭借其独特的特性，如电压控制、高输入阻抗、快速开关速度等，成为了现代电子设备中不可或缺的元
2024-05-31 17:51
某些电源架构要求电源排序器（或系统管理器）控制下游功率MOSFET，以允许功率流入分支电路。如果输入电源电压至少比电源输出电压高5V，则可以在电源输出端放置一个
2023-02-09 12:07
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12
MOSFET是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟功率三极管（GTR）来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高
2019-10-31 17:03
问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极
2023-12-03 09:30
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54
功率MOSFET数据表参数
2023-08-24 09:13
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几
2024-02-23 09:38
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定，又因p型体区掺杂浓度较高，耗尽区承压主要在外延n
2022-09-13 14:38
