意法半导体推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET
2011-12-27 17:29
CISSOID引入了新系列P通道高温功率MOSFET晶体管 CISSOID，在高温半导体解决方案的领导者，介绍了 VENUS，他们的新系列高温 30V 的 P通道功率
2010-02-23 10:42
高温半导体解决方案的领导者CISSOID推出的高温40V N沟道功率MOSFET晶体管，保证在-55°C至+ 225°C的温度范围内工作。这些名为CHT-NMOS4005，CHT-NMOS4010和CHT-NMOS4
2020-11-12 11:29
6月3日消息，美国布法罗大学科研团队开发了一种新形式的功率MOSFET晶体管，这种晶体管可以用最小的厚度处理难以置信的高电压，可能会提升电动汽车电力电子元件效率。金属氧
2020-06-04 14:26
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST) 推出首款完全符合卫星和运载火箭电子子系统质量要求的功率系列产品。全新抗辐射功率MOSFET系列产品的额定输出电流为6A至80A，由5款N沟道和P沟道产
2011-06-15 08:49
意法半导体的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 （SMPS）。
2022-05-19 14:41
功率场效应管MOSFET,功率场控晶体管 功率场效应
2009-05-12 20:36
功率场效应晶体管(MOSFET)原理 功率场效应管(Power MOSFET
2009-04-25 16:05
晶体管耗散功率,晶体管耗散功率是什么意思 晶体管耗散功率也称集电极最大
2010-03-05 17:34
