SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展，性能有望进一步提升。从下一篇开始，将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点，但SiC
2018-11-30 11:35
`功率场效应晶体管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10
本篇开始将为大家介绍“Si晶体管”。虽然统称为“Si晶体管”，不过根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理的电流、电压和应用进行分类。下面以“
2018-11-28 14:29
的电流、电压和应用进行分类。 下面以“功率元器件”为主题，从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中，将以近年来控制大功率的应用中广为采用的
2020-06-09 07:34
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET
2019-05-06 05:00
（IGBT）绝缘栅双极晶体管结合了巨型晶体管GTR和功率MOSFET的优点。它具有良好的性能和广泛的应用。IGBT也是三端器件：栅极、集电极和发射极。
2023-02-03 09:36
和功率密度方面的性能越好。此外，GaN功率晶体管具有在AlGaN / GaN异质结上形成的横向二维电子气体（2DEG）通道，该异质结没有固有的双极体二极管。无体二极
2023-02-27 09:37
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的
2021-10-29 08:28
，使Gate和Drain之间的场被建立，从而触发这种场效应晶体管（MOSFET）。 MOSFET的主要用途： MOSFET在工业中有广泛的应用，主要用在逻辑电路，放
2023-03-08 14:13
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET
2019-03-27 06:20
