Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布，推出全新电源转换控制器系列及其首个功率MOSFET器件系列。
2012-11-19 17:28
与第四章一样，本章的热设计实验是利用热模拟软件进行的。这些模拟使用了MOSFET 模型，这些模型已经根据经验数据进行了验证，并且已知能够精确地模拟真实器件的热表现。
2020-11-17 14:32
数据表中的参数分为两类：即最大额定值和电气特性值。对于前者，在任何情况下都 不能超过，否则器件将永久损害；对于后者，一般以最小值、最大值、和典型值的形式给出，它们的值与测试方法和应用条件密切相关。在实际应用中，若超出电气特性值，器件本身并不一定损坏，但如果设计裕度
2020-07-14 11:24
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60E 导通电阻比前一代 600 V E 系列
2022-02-26 13:25
通过对多种情况的分析和比较，可以得出许多关于提供LFPAK MOSFETs散热片冷却的最佳方式的结论。
2020-10-10 11:38
众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高
2023-10-18 09:11
)，可能导致器件损坏。A类音频放大器、有源DC-link放电、电池充放电、浪涌电流限制器、低压DC电机控制或电子负载等线性模式应用要求功率 MOSFET 器件在电流饱和
2022-08-25 15:34
带集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET(ON) 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率M
2010-04-10 10:32
华虹NEC掌握了拥有自主知识产权的深沟槽型大功率MOS器件工艺和超级结高压大功率MOSFET器件工艺，正在进行IGBT技
2011-12-07 09:07
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA0
2012-05-08 11:09
