因此在功率 mos 管中，电源在源极和漏极端子之间的栅极区域下方垂直流过多个并联的n+源极，因此功率mos
2023-01-10 14:07
功率MOS管为什么会烧？原因分析 功率MOS管，作为半导体器件的一种，
2023-10-29 16:23
功率MOS管的损坏机理介绍 此文主要参考renasus功率二极管应用说明，考虑大部分人比较懒，有针对性的分成几个
2009-11-21 10:48
高功率MOS管的选择涉及多个关键因素，以确保所选器件能够满足特定的应用需求。以下是一个选择指南： 一、确定沟道类型 N沟道MOS
2024-11-05 13:40
在设计驱动电路时，经常会用到MOS管做开关电路，而在驱动一些大功率负载时，主控芯片并不会直接驱动大功率MOS
2025-06-06 10:27
MOS 管可能会遭受与其他功率器件相同的故障，例如过电压(半导体的雪崩击穿)、过电流(键合线或者衬底熔化)、过热(半导体材料由于高温而分解)。
2023-05-05 09:11
MOS 管可能会遭受与其他功率器件相同的故障，例如过电压（半导体的雪崩击穿）、过电流（键合线或者衬底熔化）、过热（半导体材料由于高温而分解）。
2023-06-11 15:58
过快的充电会导致激烈的米勒震荡，但过慢的充电虽减小了震荡，但会延长开关从而增加开关损耗。Mos开通过程源级和漏级间等效电阻相当于从无穷大电阻到阻值很小的导通内阻（导通内阻一般低压mos只有几毫欧姆）的一个转变过程。
2022-08-17 14:37
Mos问题远没这么简单，麻烦在它的栅极和源级间，源级和漏级间，栅极和漏级间内部都有等效电容。所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程（电容电压不能突变），所以mos源级和漏级间由截止到导通的开通过程受栅极电容的充电过程制约。
2020-05-30 10:36
