mos在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。
2019-07-27 08:08
Mos问题远没这么简单,麻烦在它的栅极和源级间,源级和漏级间,栅极和漏级间内部都有等效电容。所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程(电容电压不能突变),所以mos源级和漏级间由截止到导通的开通过程受栅极电容的充电过程制约。
2020-05-30 10:36
在栅源短接,漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同,实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性。
2019-07-07 11:16
mos 管的额定电压应保守地考虑预期的电压水平,并应特别注意抑制任何电压尖峰或振铃。
2022-12-29 14:55
Mos主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏
2023-01-30 10:48
在栅源短接,漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同,实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。
2019-01-22 15:50
功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻,几欧姆到几十欧姆不等,那么这个电阻有什么用呢?
2019-06-28 08:29
小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构,漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向,没有这个二极
2018-04-24 14:09
在当今的开关电源设备中,MOS管的特性、寄生参数和散热条件都会对MOS管的工作性能产生重大影响。因此深入了解功率
2016-11-24 16:02
不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS
2019-06-19 08:49