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  • 功率MOS损坏的主要原因

    mos在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。

    2019-07-27 08:08

  • 功率mos为何会被烧毁?

    Mos问题远没这么简单,麻烦在它的栅极和源级间,源级和漏级间,栅极和漏级间内部都有等效电容。所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程(电容电压不能突变),所以mos源级和漏级间由截止到导通的开通过程受栅极电容的充电过程制约。

    2020-05-30 10:36

  • 功率MOS的每个参数介绍

    在栅源短接,漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同,实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性。

    2019-07-07 11:16

  • 功率mos烧毁原因分析及导致失效原因

    mos 的额定电压应保守地考虑预期的电压水平,并应特别注意抑制任何电压尖峰或振铃。

    2022-12-29 14:55

  • 功率Mos损坏主要原因有哪些

    Mos主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏

    2023-01-30 10:48

  • 功率MOS的参数详细分析

    在栅源短接,漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同,实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。

    2019-01-22 15:50

  • MOSG极串联小电阻的作用

    功率MOS的G极经常会串联一个小电阻,几欧姆到几十欧姆不等,那么这个电阻有什么用呢?

    2019-06-28 08:29

  • 开关MOS寄生二极的多种妙用

    功率MOS例如集成芯片中的MOS是平面结构,漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向,没有这个二极

    2018-04-24 14:09

  • 揭秘高效电源如何选择合适的MOS

    在当今的开关电源设备中,MOS的特性、寄生参数和散热条件都会对MOS的工作性能产生重大影响。因此深入了解功率

    2016-11-24 16:02

  • MOS的N沟道与P沟道之间的关系

    不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS会减小导通损耗。现在的小功率MOS

    2019-06-19 08:49