减小功率耗散的过载保护电路图
2009-06-24 13:22
在将一个运算放大器设计成为全新应用时经常被问到的两个问题是： 他的功率耗散典型值是多少？在我的第一个帖子进行了介绍。他的功率耗散最大值是多少？应该在目标电路中评估运算放
2017-04-08 01:35
Kuprion 的铜填充散热孔解决了复杂、先进的高性能系统在散热和功耗方面日益增加的可靠性需求。Zinn 说，Kuprion 的铜填充技术是一种简单且具有成本效益的方法，它直接放置在需要冷却的组件下方，打开第二个散热管道，使冷却速度加倍。
2022-08-04 14:45
在将一个运算放大器设计成为全新应用时经常被问到的两个问题是： 他的功率耗散典型值是多少？ 他的功率耗散最大值是多少？ 大多数情况下，这些问题连同那些与器件多种热阻抗特性
2018-07-05 09:33
应该在目标电路中评估运算放大器的最大功率。我们假定放大器运行的第一种情况是这样的。我们将最低负载电阻RL加载到输出上，正如OPA 316电气特性表中所列出的那样。这个表格中列出的值为2 kΩ（红色椭圆中的值）。
2022-01-28 09:41
我们在上面的封装透视图中看到的芯片内核是平躺在骨架上的，焊点和导线架之间不在一个平面上，它们之间的连接必须依靠长长的导线来进行连接。如果能将导线架金属部分延伸到芯片下面，再将芯片内核翻个面使其直接面对导线架并焊接在一起，则整个电流路径就能大大地缩短而且变得很粗壮，这样就可以将其R大大地降低，当电流流过时形成的I^2×R就可以大大地减小了。
2019-10-11 11:05
意法半导体的节省空间的纤薄的ACEPACK 技术在经济划算的塑料封装内整合高功率密度与可靠性。产品特性包括可选的无焊压接工艺。这项工艺可以取代传统焊接引脚和金属螺丝夹，简化组装过程，实现快速、可靠的安装。
2018-03-28 12:55
Bourns 推出 Riedon™ PF2203/PFS35 系列高功率厚膜电阻功率高达 35W，具备低 TCR 和精准公差选项 2024 年 11 月 21 日 - 美国柏恩 Bourns 全球
2024-11-22 11:41
由于MOSFET的功率耗散很大程度上取决于其导通电阻（RDS（ON）），计算RDS（ON）看似是一个很好的着手之处。但MOSFET的导通电阻取决于结温TJ。返过来，TJ又取决于MOSFET中的功率放大器
2019-06-18 14:56
要确定一个MOSFET场效应管是否适于某一特定应用，需要对其功率耗散进行计算。耗散主要包括阻抗耗散和开关耗散：PDDEV
2012-01-13 16:32
