应该在目标电路中评估运算放大器的最大功率。我们假定放大器运行的第一种情况是这样的。我们将最低负载电阻RL加载到输出上，正如OPA 316电气特性表中所列出的那样。这个表格中列出的值为2 kΩ（红色椭圆中的值）。
2022-01-28 09:41
由于MOSFET的功率耗散很大程度上取决于其导通电阻（RDS（ON）），计算RDS（ON）看似是一个很好的着手之处。但MOSFET的导通电阻取决于结温TJ。返过来，TJ又取决于MOSFET中的功率放大器
2019-06-18 14:56
高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器，可能会产生大量的耗散功率。因此，需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温，确保器件在可接受的温度范围内工作。高压栅极驱动集成
2024-11-11 17:21
二极管是电子设计中最常见的器件之一。根据应用的场合，工程师们更关注二极管的类型、正向电流、反向耐压和开关时间等。相对来说，耗散功率（Power Dissipation）也是同等重要。
2018-04-23 18:17
接头由金属制成，因此电阻会随着温度的升高而加大，接点存在缺陷的情况下，温度可高达600°C，取决于接触电阻和电流的大小 （P = R * I²）。技术人员认为50瓦以上功率耗散易燃。
2020-05-08 17:15
设计人员还需要优化由开关损耗引起的功率耗散，以使整个解决方案符合汽车电磁兼容性（EMC）规范。高栅极电流栅极驱动器（如DRV3255-Q1）可以驱动高栅极电荷MOSFET，其峰值源电流高达3.5A，峰值吸电流高达4.5A。
2021-04-14 11:03
电阻是各种电子电路里面最基础的原件，电阻在开关电源里面的应用主要有各种控制返回电路的分压网络，然后就是吸收回路里面的功率耗散。我们设计中必须关注的有电阻的封装，功耗，耐压，精度。
2018-03-19 14:44
LTC6431-15 是一款具卓越线性度 (在高于 1000MHz 频率下) 以及低相关输出噪声的增益部件放大器。 高线性度、低噪声和低功率耗散的独特组合使该器件成为许多信号链路应用的理想选择
2025-03-13 11:26
