大于B管，因此选取的MOSFET开关损耗占较大比例时，需要优先考虑米勒电容Crss的值。整体开关损耗为开通及关断的开关损耗之和：从上面的分析可以得到以下结论：（1）减小
2017-03-06 15:19
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然
2021-01-30 13:20
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等
2017-02-24 15:05
一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的
2021-10-29 07:10
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段（图
2022-11-16 08:00
开关电源的最大效率验证和检定
2019-03-11 13:42
计算，实测截图如图3所示。 3、MOS管和PFCMOS管的实测演示视频 MOS管损耗测试对于器件评估非常关键，通过示波器的电源分析软件，可以快速有效的对
2018-11-09 11:43
要提高开关电源的效率，就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面：开关损耗、导通
2020-08-27 08:07
3、开关动态损耗 由于开关损耗是由开关的非理想状态引起的，很难估算MOSFET 和二极管的开关损耗，
2021-12-29 07:52
开关零损耗驱动
2023-06-25 06:24
