功率MOSFET的开关损耗分析。
2021-04-16 14:17
一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的
2021-10-22 10:51
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然
2021-01-30 13:20
大于B管，因此选取的MOSFET开关损耗占较大比例时，需要优先考虑米勒电容Crss的值。整体开关损耗为开通及关断的开关损耗之和：从上面的分析可以得到以下结论：（1）减小
2017-03-06 15:19
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模
2018-11-27 16:37
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模
2023-02-24 11:51
理解功率MOSFET的开关损耗 本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的
2009-10-25 15:30
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等
2017-02-24 15:05
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖，定位了MOSFET 开关损耗的来源，进而为缓启动电路设计优化，减少MOSFET的
2016-01-04 14:59
一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量
2019-06-27 10:22
