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TOPCon技术通过超薄SiOₓ和磷掺杂多晶硅（n⁺-poly-Si）层实现载流子选择性传输，理论效率可达28.7%。然而，poly-Si层厚度存在矛盾：过厚层（>100nm）增加寄生吸收损失，过薄层（

2025-06-27 09:02 美能光伏 企业号

控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。

2022-04-11 13:44

微量掺杂元素在半导体器件的发展中起着至关重要的作用，可以精准调控半导体的电学、光学性能。对器件中微量掺杂元素的准确表征和分析是深入理解半导体

2025-04-25 14:29

CMOS工艺平台的Poly 方块电阻有四种类型的电阻，它们分别是n型金属硅化物 Poly 方块电阻、P型金属硅化物 Poly 方块电阻、n 型非金属硅化物 Poly 方

2024-11-29 11:06

隧道氧化物钝化接触（TOPCon）技术是当今最具影响力和工业可行性的太阳能电池技术之一，其由超薄氧化硅层组成，夹在硅吸收层和掺杂Poly层之间。合适的Poly层厚度，可以在光学损失和电性能之间找到

2024-09-25 08:06 美能光伏 企业号

Poly多晶硅层是TOPCon电池中实现电荷传输、表面钝化和选择性载流子收集的核心部分，能够显著降低载流子复合率并提升电池的开路电压和转换效率。作为高效电池的关键技术，Poly层平衡了性能提升与制造

2024-12-11 09:40 美能光伏 企业号

掺杂对PN结伏安特性的影响是半导体物理学中的一个重要议题。PN结作为半导体器件的基础结构，其性能在很大程度上取决于掺杂浓度、掺杂类型以及

2024-07-25 14:27

考虑到许多读者可能对Poly并不了解，而且许多Poly文献读起来也比较抽象，我们先简单介绍一下Poly的工作原理。我们力图用最简单的代数与几何描述来解释Poly的基本原

2023-07-17 14:19

Nanodcal软件通过虚晶近似（Virtual Crystal Approximation，VCA）的方法实现半导体的n型或者p型掺杂。为了确保Si在中心区域的长度大于耗尽层的宽度，选用一个较长的n型掺杂NiSi2-Si器

2022-09-07 16:38