关态漏电是制约HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用绝缘栅HEMT器件结构可以有效减小器件关态漏电。图1给出了S-
2023-02-14 09:18
最重要的器件之一，在功率器件和射频器件领域拥有广泛的应用前景。HEMT器件
2023-06-14 14:00
2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率，这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比，GaN RF 高电子迁移率晶体管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的应用超出了
2022-09-19 09:33
氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率
2024-01-09 18:06
硅材料的功率半导体器件已被广泛应用于大功率开关中，如电源、电机控制、工厂自动化以及部分汽车电子器件。这些硅材料功率半导体
2023-11-09 11:26
由于界面固定电荷没有充放电效应，所以利用回滞曲线或变频方法无法提供界面固定电荷信息，平带电压VFB漂移是常用的用于计算界面固定电荷的方法。本文首先结合能带结构建立了肖特基栅和绝缘栅HEMT器件的平
2023-02-13 09:33
第三代半导体器件CaN高电子迁移率晶体管（HEMT）具备较高的功率密度，同时具有较强的自热效应，在大功率工作条件下会产生较高的结温。根据半导体
2023-02-13 09:27
氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表，器件在高频
2022-09-27 10:30
通过AlN栅介质层MIS-HEMT和Al2O3栅介质层MOS-HEMT器件对比研究发现，PEALD沉积AlN栅绝缘层可以大幅改善绝缘栅器件的界面和沟道输运特性；但是由于
2023-02-14 09:16
