通电阻非常低，仅70mΩ，这款门驱动器内置了降压/升压转换器，从而可以产生负电压来关闭GaN HEMT。LMG3410R070 GaN功率级器件的一个关键优点是在硬切换时控制转换速率，这种控制对于抑制
2019-07-16 00:27
如果基于GaN的HEMT可靠性的标准化测试方法迫在眉睫，那么制造商在帮助同时提供高质量GaN器件方面正在做什么？ GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）由于其极高的耐高温性和高功
2020-09-23 10:46
大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，这在我的版本（ADS 2013）中没有。请提前帮助，谢谢。 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21
目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限， 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27
使用RHEED density优化的MBE growth conditions, 生长高迁移率的GaAs/AlGaAs inverted-HEMT
2014-07-28 17:28
效率低下，发热严重。GaN HEMT(氮化镓晶体管)可以替代高压高频电动机应用中的MOSFET和IGBT器件，这类参数比较宽的半导体器件为大功率密度电动机开辟了新的应用
2019-07-16 20:43
在Tech Web的“基础知识”里新添加了关于“功率元器件”的记述。近年来，使用“功率元器件”或“功率半导体”等说法，以
2018-11-29 14:39
在Tech Web的“基础知识”里新添加了关于“功率元器件”的记述。近年来，使用“功率元器件”或“功率半导体”等说法，以
2018-11-28 14:34
为满足晶体管用户的需求，有源器件的功率密度持续增长。商用无线通讯、航空电子、广播、工业以及医疗系统应用推动固态功率封装随着更小输出级器件输出更高输出
2019-07-09 08:17
，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为合适
2019-07-23 04:20
