GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）是一种迅速崭露头角的高频功率器件，
2023-12-07 17:27
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍
2023-12-27 09:11
点击上方 “泰克科技” 关注我们！ （本文转载自公众号： 功率器件显微镜 ，分享给大家交流学习） GaN HEMT功率器件
2023-07-17 18:45
关态漏电是制约HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用绝缘栅HEMT器件结构可以有效减小器件关态漏电。图1给出了S-
2023-02-14 09:18
最重要的器件之一，在功率器件和射频器件领域拥有广泛的应用前景。HEMT器件
2023-06-14 14:00
2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率，这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比，GaN RF 高电子迁移率晶体管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的应用超出了
2022-09-19 09:33
2023年11月10日，温州芯生代科技有限公司在2023世界青年科学家峰会上隆重发布了面向高电压大电流HEMT功率器件应用的850V Cynthus®系列硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延产品。行业客户、知名投资机
2023-11-14 10:32
氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率
2024-01-09 18:06
GaN功率HEMT设计+GaN宽带功率放大器设计
2023-01-30 14:17
