很多工程师提问关于氮化镓(GaN)及碳化硅(SiC)的异同。GaN和SiC都是宽带隙半导体，因此可以在更小、更快的器件中处理比硅更多的功率。GaN的一个额外优点是可以在器件表面产生二维电子气(2DEG)。
2019-03-14 17:05
的纹波成分； 3）控制各模块电流，使其均分负载电流。 1 大功率直流电源的拓扑结构 DC/DC电源并联有两种拓扑结构，一种是采用输入直流母线结构，其系统结构框图如图1a所示，主要包括整流
2018-11-29 11:35
如何选择DC/DC器件？
2021-11-03 06:17
额定功率20W的24V输出的DC/DC，给一个直流接触器线圈供电，线圈最大浪涌电流3.8A，算起来瞬时功率接近100W了，那DC
2019-03-06 09:25
用于掌上电脑逻辑电源的LT1107CS8-5微功率DC / DC转换器的典型应用电路。 LT1107是一款多功能微功率DC
2020-06-14 06:54
时候,有可能就要牺牲效率为保证电源的纯净而选择LDO. 还有,通常LDO所需要的外围器件简单,占面积小,而DC/DC一般都会要求电感,二极管,大电容,有的还会要MOSFET,特别是Boost电路
2018-10-18 09:38
，利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的输出。其次，对于中小功率的应用，可以使用成本低小型封装。另外，如果开关频率提高到1MHz，还能够降低成本、可以使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加
2018-08-17 01:17
了由外围器件所决定的对 DC/DC转换器特性的影响。 表1 :选用与特性相对应的外围器件 备注) 使用功率MOSFET作
2020-11-26 11:33
效率高，输入电压范围较宽，支持降压和升压电路设计，输出电流高，功率大。 LDO缺点：转换效率比DC/DC低，输入输出的电压差不能太大，只能进行电源降压设计，负载不能太大，目前最大的LDO为8A（但要保证8A的输出还
2021-11-09 17:20
DC-DC电路元器件放置：1.输入滤波电容及旁路电容（Cbypass）：放置于IC相同的层上，并尽可能缩短与IC之间布线，并且CIN和CO的接地彼此必须分开1cm~2cm；2.续流二极管：需采用短而
2021-11-17 06:19
