SGT MOSFE是一种新型的功率半导体器件，具有传统深沟槽MOSFE的低导通损耗的优点，同时具有更加低的开关损耗。SGT MOSFE作为开关
2020-12-25 14:02
产品特点 1、优异的开关特性和导通特性； 2、更好的导通电阻温度特性，显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性； 3、配合先进的封装技术，SGT MOSFET器件有助于提升系统效率和
2020-11-26 14:54
SGT MOSFET，即屏蔽栅沟槽MOSFET，是一种先进的功率半导体器件。这种技术改变了MOSFET内部电场的形态，将传统的三角形电场进一步的变更为类似压缩的梯形电场，可以进一步减小EPI层的厚度，降低导通电阻Rd
2025-01-22 13:55
本文介绍了什么是功率半导体器件，对功率半导体器件分类和功率半导体器件优缺
2018-01-13 09:19
uSGT MOSFET的市场前景 SGT-MOS的全称是“Split Gate Trench-MOSFET”，中文叫屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET。SGT-MOS严格意义上来说，在工艺上并没有
2024-11-08 10:36
想要了解什么是波长选择器？通过介绍应用市场中常见的滤波光学器件并对比其优势与劣势，看见波长选择器滤波性能的优越性。
2023-09-20 09:45
上海贝岭推出150V SGT MOSFET系列产品。贝岭150V SGT系列产品采用业界先进工艺，使得器件具有良好的栅极漏电流IGSS性能；采用深沟槽、多层外延衬底以及多重浮空环终端结构，使得
2025-01-03 10:19
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近几年第三代半导体在功率器件上发光发热，低压消费应用上GaN器件统治充电头市场，新能源汽车高压平台上SiC器件逐渐成为标配。在硅基
2024-08-02 00:13
当前的半导体照明的劣势主要在以下4个方面： 1、大功率LED应用光效低 形成商品化的3瓦以上大功率发光二极体发光效率低，低于光效每瓦100流明以上的高强
2010-03-19 09:40
