碳化硅（SiC）功率器件因其低内阻、高耐压、高频率和高结温等优异特性，在电力电子系统中得到了广泛关注和应用。然而，要充分发挥SiC器件的性能，封装技术至关重要。本文将详细解析
2025-02-03 14:21
和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC
2024-03-07 14:28
本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售GaN与SiC功率晶体管的分析，描述了这些技术的现状，重点阐述了各技术平台的首选
2025-05-15 15:28
氮化镓（GaN）功率器件在几个关键性能指标上比硅（Si）具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场，能实现更薄的漂移层，同时在较高的击穿电压下可以降低导通电阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39
无论是基础功率半导体器件，如：整流二极管（Rectifier diodes 简称RD，含快恢复整流二极管FRD）、晶闸管（SCR，含快速、高频晶闸管）、双向晶闸管（Triac）、逆导晶闸管（RCT
2017-10-31 10:19
近日，氮化镓射频及功率器件项目桩基开工。这个项目总投资25亿元，占地111.35亩，分两期实施，全部达产后预计实现年销售30亿元以上，可进一步推动嘉兴集成电路新一代半导体产业。
2020-07-06 08:46
`本书主要围绕电机控制的设计与相关功率器件来展开解析，介绍了电机控制的基本概念以及功率器件运用技术。重点介绍了电机控制的
2019-03-27 16:56
在这片文章里，我们给大家介绍最基本的功率器件MOSFET，对其进行初步的解析和各种应用介绍。
2012-12-29 10:54
