本文小编分享一篇文章，本文介绍的是原子层镀膜在功率器件行业的应用，本文介绍了原子层镀膜技术在碳化硅功率
2024-10-15 15:21
控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。
2022-04-11 13:44
在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。
2018-12-29 15:32
晶体管）结构。GaN HEMT由以下主要部分组成： 衬底：氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层：氮化镓衬底上生长一
2024-01-09 18:06
光刻胶不能太厚或太薄，需要按制程需求来定。比如对于需要长时间蚀刻以形成深孔的应用场景，较厚的光刻胶层能提供更长的耐蚀刻时间。
2024-03-04 10:49
使用功率开关器件的工程师们肯定都有选择驱动芯片的经历。面对标称各种电流能力的驱动产品时，往往感觉选择非常困惑。特别是在成本压力之下，总希望选择一个刚好够用的产品。以下内容或许能给到些启发。
2022-04-28 16:01
在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。
2019-01-03 15:31
，这使得SiC能够承受从600伏特到数千伏特的高电压。与硅元器件相比，可以增加杂质浓度，同时减薄漂移层的厚度。 在高耐压功率元器件中，电阻主要来自于漂移
2024-02-04 16:25
