上海瞻芯该项专利中所提供的半导体结构和制备方法，相较于同种器件而言，其电场强度能够大幅降低，提高了半导体器件栅氧化层的可靠性。同时栅漏之间的电容也被大幅降低，从而极大的减少了开关
2020-07-07 11:42
大功率白光LED结构与特性 大功率白光LED的结构特点从消耗功率来讲，通常把毫瓦级LED称为小
2013-06-04 23:54
【作者】：王丹;关艳霞;【来源】：《电子设计工程》2010年02期【摘要】：介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS-IGBT两种器件的工作原理及其性能特征,SJMOS-FET具有
2010-04-24 09:01
的应用。LDMOS是功率IC常用的片上静电自防护器件，其内部存在静电泄放电流非均匀分布的问题。我司开发采用的BSDOT结构，通过TCAD仿真和流片测试验证，有效将原始LDMOS
2016-03-12 14:12
的应用。LDMOS是功率IC常用的片上静电自防护器件，其内部存在静电泄放电流非均匀分布的问题。我司开发采用的BSDOT结构，通过TCAD仿真和流片测试验证，有效将原始LDMOS
2016-04-06 09:24
和DRAM），40μm的芯片堆叠8个总 厚度为1.6 mm，堆叠两个厚度为0.8 mm。如图1所示。图1 元器件内芯片的堆叠 堆叠元器件（Amkor PoP）典型
2018-09-07 15:28
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的
2016-10-10 10:58
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓
2023-06-15 14:17
。除功率芯片之外，无源元件如磁芯，电容等均可通过适当的方式嵌入 PCB 当中以提高功率密度。由上述新型结构可以看出，为充分发挥 SiC
2023-02-22 16:06
，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为合适
2019-07-23 04:20
