氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率
2024-01-09 18:06
在有限的封 装空间内，如何把芯片的耗散热及时高效的释放到外界环境中以降低芯片结温及器件内部各封装材料的工作温度，已成 为当前功率
2023-04-18 09:53
针对功率器件的封装结构，国内外研究机构和 企业在结构设计方面进行了大量的理论研究和开 发实践，多种结构封装设计理念被国内
2023-05-04 11:47
汽车和清洁能源领域的制造商需要更高效的功率器件，能够适应更高的电压，拥有更快的开关速度，并且比传统硅基功率器件提供更低的损耗，而沟槽
2024-10-16 11:36
通过对现有功率器件封装方面文献的总结，从器件封装结构散热路径的角度可以将功率器件
2023-04-26 16:11
上海瞻芯该项专利中所提供的半导体结构和制备方法，相较于同种器件而言，其电场强度能够大幅降低，提高了半导体器件栅氧化层的可靠性。同时栅漏之间的电容也被大幅降低，从而极大的减少了开关
2020-07-07 11:42
尤其是在目前功率器件高电压、大电流和封装 体积紧凑化的发展背景下，封装器件的散热问题已 变得尤为突出且更具挑战性。芯片产生的热量 会影响载流子迁移率而降低
2023-09-25 16:22
【作者】：王丹;关艳霞;【来源】：《电子设计工程》2010年02期【摘要】：介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS-IGBT两种器件的工作原理及其性能特征,SJMOS-FET具有
2010-04-24 09:01
