上海瞻芯该项专利中所提供的半导体结构和制备方法，相较于同种器件而言，其电场强度能够大幅降低，提高了半导体器件栅氧化层的可靠性。同时栅漏之间的电容也被大幅降低，从而极大的减少了开关
2020-07-07 11:42
【作者】：王丹;关艳霞;【来源】：《电子设计工程》2010年02期【摘要】：介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS-IGBT两种器件的工作原理及其性能特征,SJMOS-FET具有
2010-04-24 09:01
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的
2016-10-10 10:58
的应用。LDMOS是功率IC常用的片上静电自防护器件，其内部存在静电泄放电流非均匀分布的问题。我司开发采用的BSDOT结构，通过TCAD仿真和流片测试验证，有效将原始LDMOS
2016-03-12 14:12
的应用。LDMOS是功率IC常用的片上静电自防护器件，其内部存在静电泄放电流非均匀分布的问题。我司开发采用的BSDOT结构，通过TCAD仿真和流片测试验证，有效将原始LDMOS
2016-04-06 09:24
，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为合适
2019-07-23 04:20
电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上)
2021-09-09 06:29
功率场效应管（VMOS）是单极型电压控制器件。具有驱动功率小、工作速度高、无二次击穿问题、安全工作区宽等显著特点，还具有电流负温度系数、良好的电流自动调节能力、良好的热稳定性和抗干扰能力等优点。其
2018-01-29 11:04
大功率白光LED结构与特性 大功率白光LED的结构特点从消耗功率来讲，通常把毫瓦级LED称为小
2013-06-04 23:54
，功率半导体器件在不断演进。自上世纪80年代起，功率半导体器件MOSFET、IGBT和功率集成电路逐步成为了主流应用类型
2019-02-26 17:04
