测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件结温，如 MOSFET 或 IGBT 的结
2021-03-11 07:53
测量功率器件的结温常用二种方法
2021-03-17 07:00
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2021-03-30 08:45
审核编辑：彭静
2023-05-31 11:40
测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件结温，如 MOSFET 或 IGBT 的结
2020-11-23 14:53
功率器件结温和壳顶温度，差多少？ 测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件
2020-10-19 10:26
的电气参量;然后研究分析了功率器件结温测量的各类方法， 并重点阐述了温敏电参数 (TSEP) 法在 SiC MOSFET
2023-04-15 10:03
功率循环试验中最重要的是准确在线测量结温，直接影响试验结果和结论。比较总结了各种温度测量方法的一致性、线性、灵敏度、难度和物理意义。基于通态特性的电学参数法更适用于设备导向状态的测试。国际电工
2023-02-06 12:27
。 背景通常，芯片的结温(Junction Temperature)（Tj）每上升10℃，器件的寿命就会大约减为一半，故障率也会大约增大２倍。Si 半导体在Tj 超过了175℃时就有可能损坏。由此，使用时
2019-09-20 09:05
