。例如，SiC功率模块的尺寸可达到仅为Si的1/10左右。关于“高速工作”，通过提高开关频率，变压器、线圈、电容器等周边元件的体积可以更小。实际上有能做到原有1/10左右的例子。“高温
2018-11-29 14:35
，该公司还将其大功率GaAs PHEMT器件的工作频率扩展到6GHz，可用于WiMAX放大器。最近，飞思卡尔半导体宣布推出第一款具有100W输出
2019-07-09 08:17
[size=1em]导读LDMOS晶体管已广泛应用于电源管理集成电路、LED/LCD驱动器、手持和汽车电子等高压功率集成电路。了解LDMOS的静电防护性能，有益于高压功率IC的片上静电防护器件
2016-03-03 17:54
，该公司还将其大功率GaAs PHEMT器件的工作频率扩展到6GHz，可用于WiMAX放大器。最近，飞思卡尔半导体宣布推出第一款具有100W输出
2019-07-05 06:56
直接影响转换器的体积、功率密度和成本。 然而，所使用的半导体开关远非理想，并且由于开关转换期间电压和电流之间的重叠而存在开关损耗。这些损耗对转换器工作频率造成了实际限制。谐振拓扑可以通过插入额外的电抗
2023-02-21 16:01
半导体相比，损耗更低，高温环境条件下工作特性优异，有望成为新一代低损耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半导体已经开始实际应用，并且还应用在对品质可靠性要求很严苛的车载设备上。提起SiC，可能在
2018-11-29 14:39
滤波电容具体选择什么容值要取决于你PCB上主要的工作频率和可能对系统造成影响的谐波频率。请问这里说的工作频率是
2015-11-09 09:43
【作者】：王丹;关艳霞;【来源】：《电子设计工程》2010年02期【摘要】：介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS-IGBT两种器件的工作原理及其性
2010-04-24 09:01
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC
2019-05-06 09:15
，达到片上8kV HBM 设计目标。1. 普通LDMOS器件结构如图1所示为普通GG-nLDMOS的剖面图，其工作原理是利用器件体内的寄生三极管工作，泄放静电流。图2为
2016-03-12 14:12
