近年来，SiC功率器件结构设计和制造工艺日趋完善，已经接近其材料特性决定的理论极限，依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。本文首先介绍了SiC功率半导
2022-11-24 10:05
碳化硅功率器件是一种新型的半导体器件，由于其具有高温工作能力、高击穿场强、高电子迁移率等优点，被广泛应用于许多领域，包括电动汽车、可再生能源、工业电机和变频器、电力电子设备以及白色家电等。本文将就该
2023-08-08 10:25
碳化硅（SiC）被认为是未来功率器件的革命性半导体材料;许多SiC功率器件已成为卓越的替代电源开关技术，特别是在高温或高电场的恶劣环境中。
2022-11-06 18:50
近年来，SiC功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能，这对电力电子行业的发展意义重大。据Yole预测，到2023年SiC功率
2019-07-05 11:56
主驱采用碳化硅，综合损耗比硅器件降低70%，行程里程提升约5%。在OBC上采用碳化硅，器件数量减半，意味着被动器件直接减半，且配套的驱动电路也减少了，体积下降的同时成本也在下沉。这也是为什么OBC应用碳化硅比驱动应用
2023-11-20 16:23
碳化硅作为一种宽禁带材料，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率等优点，可以实现高压、大功率、高频、高温应用的新型功率半导体器件。该文对碳化硅功率半导体
2023-01-31 09:45
`20世纪初量子力学的飞速发展，使人类对微观世界有了全新的认识，并且在固体物理学研究领域取得了巨大的成就。今天，小迪将带领大家走进功率器件领域，一窥半导体功率
2015-12-22 18:08
碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、动态性能和可靠性的显著优势电子和电气系统。回顾了SiC功率器件发展的挑战和前景
2022-11-11 11:06
【作者】：王丹;关艳霞;【来源】：《电子设计工程》2010年02期【摘要】：介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS-IGBT两种器件的工作原理及其性
2010-04-24 09:01
介绍功率器件的发展情况，随后分析比较SJMOSFET与FS-IGBT两种器件的工作原理及其性能特征，SJMOS-FET具有高开关频率，导通电阻小，损耗低等优点。而FS-
2010-02-11 13:55
