功率器件定义与核心特性 功率器件（Power Semiconductor Device）是电力电子领域的核心组件，特指直
2025-05-19 09:43
）功率器件，成为电力电子领域的核心技术之一。本文将详细介绍碳化硅功率器件的基本特性、主要类型、应用领域、市场前景以及未来
2025-02-25 13:50
如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高温、高功率、高压、高频等方面更高的要求，被认为是突破传统硅（Si）器件性能天花板的必由之路。
2024-10-18 15:40
碳化硅（SiC）器件是一种新兴的技术，具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙，允许更高的电压阻断，并使其适用于高功率和高电压应用。此外，SiC还具有比Si更低的热阻，这意味着它可以更有效地散热，具有更
2023-04-13 11:01
碳化硅是一种宽带隙半导体材料，相比于传统的硅材料，具有更高的热导率、更大的电场击穿强度和更高的载流子迁移率等特点。
2024-04-10 14:39
100 V GaN FET 在 48 V 汽车和服务器应用以及 USB-C、激光雷达和 LED 照明中很受欢迎。然而，小尺寸和最小的封装寄生效应为动态表征这些功率器件带来了多重挑战。本文回顾了GaN半导体制造商在表征这些器件
2022-10-19 17:50
碳化硅是一种宽带隙(Wide Bandgap,WBG)半导体材料，与传统的硅(Si)材料相比，具有更宽的能隙、更高的击穿电场强度和热导率。
2024-03-19 11:12
氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构
2023-09-19 14:50
由于本设计中的变换器的应用场合的电压和电流都比较大，则除考虑效率因素外，选择高性能功率器件是保证功放性能的重要环节。功率器件的特
2012-10-10 13:46
如果想要说明白GaN、超级SI、SiC这三种MOS器件的用途区别，首先要做的是搞清楚这三种功率器件的特性，然后再根据材料特性
2025-03-14 18:05
