如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高温、高功率、高压、高频等方面更高的要求，被认为是突破传统硅（Si）器件性能天花板的必由之路。
2024-10-18 15:40
功率器件被称为功率电子器件，即具有处理高电压和高电流能力的功率型半导体器件
2023-02-07 18:12
。这种方法需要较大的复杂PCB设计，以满足驱动器和离散功率器件组合的所有间距和布局要求。另一个同样令人困惑的问题是，当驱动器和功率器件的
2025-03-25 11:23 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
由图可以看出，β-Ga2O3的主要优势在于禁带宽度，但也存在着不足，主要表现在迁移率和导热率低，特别是导热性能是其主要短板。不过，相对来说，这些缺点对功率器件的特性不会有太大的影响，这是因为
2019-03-01 15:03
MCT是一种新型MOS与双极复合型器件。如图所示。MCT是将MOSFET的高阻抗、低驱动图MCT的功率、快开关速度的特性与晶闸管的高压、大电流特型结合在一起，形成大功率
2019-10-23 17:52
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si
2023-02-22 09:15
碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半导体器件，主要用于高频、高温、高压和高功率的电子应用。相比传统的硅（Si）基功率
2024-08-07 16:22
功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。
2023-02-06 14:24
功率器件 (Power Devices) 通常也称为电力电子器件，是专门用来进行功率处理的半导体器件。
2024-01-09 09:38
