• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
  • 全部板块
    • 全部板块
大家还在搜
  • LED封装器件测试及散热能力评估

    代理商服务内容:1.封装器件测试2.封装器件内部“缺陷”辨认3.结构无损检测4.老化试验表征手段5.接触

    2015-07-29 16:05

  • 功率型LED测量的新方法

    ,根据LED正向电压随温度变化的原理,利用电流表、电压表等常用工具,测量了T0封装功率型LED器件,对功率型LED

    2009-10-19 15:16

  • 【金鉴出品】深度解析LED灯具发展的巨大瓶颈——

    通道成串联关系。LED灯具作为新型节能灯具在照明过程中只是将30-40%的电能转换成光,其余的全部变成了热能,热能的存在促使我们金鉴必须要关注LED封装

    2015-07-27 16:40

  • 【原创分享】mos管的

    ,最大功率是208WRjc是0.6℃/W降额曲线图的公式P=(Tj-Tc)/RjcTa≥25℃,P=PmaxTc<25℃。2、加了散热器但是散热器是有限的情况,并且接触MOSFET与散热器接触是有的情况

    2021-09-08 08:42

  • POL的测量及SOA评估方法

    影响。Figure 1: TPS543820 Thermal Information因此,我们需要对项目中重点电源器件进行实际测量,尤其是在高温应用场景下,以避免设计问题导致的芯片可靠性降低甚至无法正常工作。板上

    2022-11-03 06:34

  • 关于测试

    现在需要测IGBT的,我的方案是直接让它导通然后用大电流加热到一定的程度后,突然切断大的电流源,看他在100ma下的vce变化(已知100ma工况下vce和节温的关系),然后将测试到的vce

    2017-09-29 10:40

  • 功率器件损耗计算和选型要求

    对于常见功率器件,整流桥,电解电容,IGBT,MOS管,这些功率器件损耗功率

    2024-06-12 16:44

  • T3Ste测试仪的典型应用案例

    目录—T3Ster的应用案例 ◇ 测量结壳◇ 封装结构的质量检查 △ 结构无损检测△ 失效分析◇ 老化试验表征手段◇ 利用T3Ster研究新型微通道散热结构◇ 提供器件

    2013-01-08 15:29

  • 瞬态分析的理论基础

    许多半导体器件在脉冲功率条件下工作,器件的温升与脉冲宽度及占空比有关,因此在许多场合下需要了解器件与施加功率时间相关的

    2019-05-31 07:36

  • 导热界面材料对降低接触的影响分析

    随着电子设备功率密度的增加,系统的热管理变得越来越重要。导热界面材料(TIMs)在降低接触、提高热量传递效率方面发挥着关键作用。本文分析了导热界面材料的工作原理及其对接触

    2024-11-04 13:34