SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件
2018-07-15 11:05
器件的大规模集成化、大功率小型化、高效率低损耗、超高频的发展而引发的电路发热也迅速提高，电子封装对基板材料的要求有：热导率高、介电常数低、与芯片材料的热膨胀系数相匹配、
2023-06-09 15:49
晶体管）结构。GaN HEMT由以下主要部分组成： 衬底：氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层
2024-01-09 18:06
元器件普遍都具有极性，而元器件的极性方向该如何来判断？对于许多的初学者这是一个难题，可能比看电路图还费脑筋。由于元器件种类实在太多，这边仅列举几个较为典型的元件作为代表
2019-08-01 15:28
如今，我们已经无法想象没有电的生活了。我们生活的各个方面越来越依赖于电力。而在电力的生产、分发和使用过程中，功率转换起着至关重要的作用。
2023-08-10 09:42
引言SiC功率器件已经成为高效率、高电压及高频率的功率转换应用中Si功率器件的可行替代品。正如预期的优越
2018-03-20 11:43
碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半导体器件，主要用于高频、高温、高压和高功率的电子应用。相比传统的硅（Si
2024-08-07 16:22
功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。
2023-02-06 14:24
