、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC
2017-06-16 10:37
，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制
2019-07-23 04:20
特性可以使得器件中电磁能量的分配恒定并且可测。对于更高介电常数的PCB材料，TMM 13i层压板具有12.85的介电常数并且在三个轴的变化在+/-0.35以内（10GHz）。 当然，在设计功分器/功率
2019-05-28 06:09
的半径小于引脚材料的厚度，裂纹就会很大很深，这势必会减小引脚的有效导流面积以及降低引脚机械强度，影响器件的可靠性。在某些对引脚长度要求较严格的应用中可以使半径等于引脚材料厚度。常用的
2008-08-12 08:46
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值，表征高频器件的材料适合性优值， 硅技
2019-06-26 06:14
材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因，介绍了几种Ga
2019-06-25 07:41
点击: 功率半导体器件 &
2008-08-03 17:05
半导体相比，损耗更低，高温环境条件下工作特性优异，有望成为新一代低损耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。提及功率元器件，人们当然关注SiC之类的新
2018-11-28 14:34
对电子元器件进行密封时，首先考虑的问题是用哪种密封材料。使用什么材料取决于特定的运用和器件工作环境的要求。在一般情况下，大多数环氧树脂、聚氨酯、硅胶系
2016-08-01 10:37
的禁带宽度更大，这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及更高的工作温度，抗辐照能力得到提升；碳化硅材料击穿电场是硅的 10 倍，因此，其器件可设计更高的掺杂浓度及更薄的外延厚度，与相同电压等级的硅
2023-02-22 16:06
