在理解功率MOSFET的VTH的特性之前，先看一个在实际客户产品应用中遇到的问题，了解这个不起眼的、却有些独特的VTH对系统设计的影响。例：国内某通讯公司，做了一批基站系统，出口到俄罗斯，7、8份
2019-08-08 21:40
摘要：提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂
2019-07-31 07:30
一种MOS器件的失效模式：双峰效应（double－hump）越来越受到人们的重视。用什么方法才能使双峰效应的程度得以量化？ 并且通过对量化数字的评估，可以定性和定量地了解和确定最优化的掺杂浓度条件？
2021-04-07 06:29
为什么n外延层中掺杂浓度低时漏区先击穿，掺杂浓度较高时却是源区先击穿呢？（N外延区均全耗尽）能详细讲一下这个过程吗，这里不太能理解，谢谢。
2021-09-11 18:48
，RF 功率 MOSFET是手机基站中成本最高的元器件。一个典型的手机基站中RF部分的成本约6.5万美元，其中功率放大器的成本就达到4万美元。功率放大器元件的年销售额约
2019-07-08 08:28
材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因，介绍了几种GaN 基微波器件最新研究动态，对GaN 调制
2019-06-25 07:41
图中为什么当Vin=Vth+Vout时，gm达到最大？谢谢！！！
2021-06-24 06:17
（SiC）和氮化镓（GaN）是功率半导体生产中采用的主要半导体材料。与硅相比，两种材料中较低的本征载流子浓度有助于降低漏电流，从而可以提高半导体工作温度。此外，SiC 的导热性和 GaN 器件中稳定的导通电
2023-02-21 16:01
想请教各位大神，想看扫描温度，然后用hspice看vth值，语句怎么写？
2021-06-25 06:57
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00
