控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数
2022-04-11 13:44
为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低？ PN结是半导体器件中重要的一种，它是由掺有不同的杂质形成的结构而成。在PN结中，P层和N层之间形成了一个电势垒，这个电势垒可以阻止电流的自由流动。而当PN
2023-09-13 15:09
的应用。 对石墨烯进行氮掺杂有望弥补本征石墨烯零带隙和载流子密度低的缺憾，实现其在电子器件领域的广泛应用。然而，目前氮掺杂石墨烯(NG)的合成主要面临两个问题： 氮掺杂
2020-10-23 10:24
掺杂对PN结伏安特性的影响是半导体物理学中的一个重要议题。PN结作为半导体器件的基础结构，其性能在很大程度上取决于掺杂浓度、掺杂
2024-07-25 14:27
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子器件中的半导体器件，其工作原理是通过改变栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。在MOSFET中，Vth（阈值电压）是一个非常重要的参数
2024-07-31 14:59
微量掺杂元素在半导体器件的发展中起着至关重要的作用，可以精准调控半导体的电学、光学性能。对器件中微量掺杂元素的准确表征和分析是深入理解半导体
2025-04-25 14:29
Nanodcal软件通过虚晶近似（Virtual Crystal Approximation，VCA）的方法实现半导体的n型或者p型掺杂。为了确保Si在中心区域的长度大于耗尽层的宽度，选用一个较长的n型掺杂NiSi2-Si器
2022-09-07 16:38
通常，用射频电源产生高浓度等离子体电离掺杂气体，而用偏置电源加速离子去“轰击”圆片表面。最常用的 PLAD 掺杂气体为 B2H6，用于硼掺杂。对于需要非常高剂量的圆片摻
2022-11-01 10:14
摘要：采用金掺杂替代作为深能级缺陷中心的汞空位，可明显提高P型碲镉汞材料少子寿命，进而降低以金掺杂P型材料为吸收层n-on-p型碲镉汞器件的暗电流，明显提升了n-on-p型碲镉汞
2021-06-24 16:12
《仿真分析小技巧8》---巧妙利用.doping文件快速修改材料掺杂参数 由于所要进行仿真计算的器件层数、列数过多，每次修改某层材料掺杂参数后，生成mesh的过程中需要等待很长时间。为了解决这一
2020-04-07 15:49
