在理解功率MOSFET的VTH的特性之前，先看一个在实际客户产品应用中遇到的问题，了解这个不起眼的、却有些独特的VTH对系统设计的影响。例：国内某通讯公司，做了一批基站系统，出口到俄罗斯，7、8份
2016-11-14 14:09
本人本科时学过一点模电，对微电子理解不深。请教几个IGBT领域的问题：1、场截止层是如何起作用的：为什么加入场截止层之后需要的漂移区的厚度变薄而且还可以提高耐压？掺杂浓度较高的场截止层不是变相提升
2020-02-20 14:26
横向电场，并且垂直导电区域的N掺杂浓度高于其外延区N-的掺杂浓度。 当VGS＜VTH时，由于被电场反型而产生的N型导电
2018-11-01 15:01
在理解功率MOSFET的VTH的特性之前，先看一个在实际客户产品应用中遇到的问题，了解这个不起眼的、却有些独特的VTH对系统设计的影响。例：国内某通讯公司，做了一批基站系统，出口到俄罗斯，7、8份
2019-08-08 21:40
`通信接口保护器件的电容标准在高速的数据速率应用中，保护器件电容通常是一个决定性的因素（见下表）。每一个TVS二极管，像其他半导体，有一个固有电容。电容是依赖于结面积，掺杂浓度
2017-07-31 14:02
工程师习惯性的认为：如果VGS尖峰电压大于功率MOSFET的阈值电压VTH，下管就会导通，那么上、下管就会产生直通，也就是所谓的Shoot Through，从而导致开关管的损坏。VTH，
2016-11-08 17:14
的基本计算本节计算对象为非穿通型的P+N突变结，如下图所示。图1 在相同电压下势垒区厚度、杂质浓度与电场的关系在设计器件时，耐压设计是很重要的一环。这关系到耐压区掺杂，厚度等一系列问题。这些因素是通过
2019-10-30 13:22
相比，能够以具有更高的杂质浓度和更薄的厚度的漂移层作出600V～数千V的高耐压功率器件。高耐压功率器件的阻抗主要由该漂移
2019-07-23 04:20
的功率MOSFET要小很多。需关断IGBT时，在栅极和发射极之间施加一低于VTH的电压，首先功率MOSFET处于断路状态，PNP晶体管的基极电流被切断，从而器件进入断路
2015-12-24 18:13
在 LTPS 制造过程中，使用自对准掩模通过离子注入来金属化有源层。当通过 TRCX 计算电容时，应用与实际工艺相同的原理。工程师可以根据真实的 3D 结构提取准确的电容，并分析有源层离子注入前后的电位分布，如下图所示。 (a)FIB (b) 掺杂前后对比
2025-01-08 08:46
