氮化镓（GaN）功率器件在几个关键性能指标上比硅（Si）具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场，能实现更薄的漂移层，同时在较高的击穿电压下可以降低导通电阻（Rds（on））。由于
2023-01-29 17:41
氮化镓（GaN）功率器件在几个关键性能指标上比硅（Si）具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场，能实现更薄的漂移层，同时在较高的击穿电压下可以降低导通电阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39
最近，麻省理工学院（MIT）、半导体公司IQE、哥伦比亚大学、IBM以及新加坡MIT研究与技术联盟的科研人员展示出一项新型设计，让氮化镓功率器件处理的电压可达1200伏。
2018-01-04 11:13
从发展历程来看，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统；20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展
2023-03-16 17:23
碳化硅（SiC）是一种具有优异物理特性的半导体材料，其高电子饱和迁移率、高热导率、高击穿场强和高电子饱和迁移率等特点使其在功率器件领域具有广泛的应用前景。
2023-12-19 09:27
碳化硅器件总成本的50%，外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义，从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因，与上下游企业协同合作提升碳化硅功率
2023-01-05 11:23
科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破，为更多大功率应用带来更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在
2012-05-10 09:27
作为2019年度上海科技论坛之产业发展论坛暨浦东新区第十届学术年会的重要组成部分，由上海华虹宏力半导体制造有限公司科学技术协会（“华虹宏力科协”）和院士专家工作站共同承办的“功率器件
2019-08-21 08:40
氮化镓（GaN）功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流（DC-DC）变换器、薄膜和二维GaN器件、高电子迁移率等特点，用于制造高
2023-12-06 10:04
2023年6月6日，东南大学迎来了建校121周年纪念日。当天下午，东南大学集成电路学院揭牌仪式在南京举办。 揭牌仪式上，“ 东南大学—扬杰科技宽禁带功率器件技术联合研发中心”共建合作协议正式签署
2023-06-08 20:05
