氮化镓（GaN）功率器件在几个关键性能指标上比硅（Si）具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场，能实现更薄的漂移层，同时在较高的击穿电压下可以降低导通电阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39
最近，麻省理工学院（MIT）、半导体公司IQE、哥伦比亚大学、IBM以及新加坡MIT研究与技术联盟的科研人员展示出一项新型设计，让氮化镓功率器件处理的电压可达1200伏。
2018-01-04 11:13
随着科技的快速发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种先进的电力电子设备，已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍碳化硅功率器件的原理、应用、
2023-12-16 10:29
碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿场强、高电子饱和漂移速率和高热导率等优异性能，使其在功率器件领域具有广泛的应用前景。本文将对碳化硅功率器件的
2024-01-17 09:44
高压功率器件的开关技术简单的包括硬开关技术和软开关技术
2023-11-24 16:09
目前世界范围内围绕着GaN功率电子器件的研发工作主要分为两大技术路线，一是在自支撑Ga N衬底上制作垂直导通型器件的技术
2019-08-01 15:00
随着电力电子技术的飞速发展，传统的硅基功率器件因其物理特性的限制，已经逐渐难以满足日益增长的高性能、高效率、高可靠性的应用需求。在这一背景下，碳化硅（SiC）功率
2024-09-11 10:43
伴随着功率器件 (包括 LED、LD、IGBT、CPV 等) 不断发展，散热成为影响器件性能与可靠性的关键技术。对于电子器件
2023-03-31 10:48
