VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美国IR 公司推出VDMOS 结构，将器件耐压、导通电阻和电流处理能力提高到一个新水平。
2009-12-21 10:52
2023-10-12 08:31
2023-10-07 16:25
碳化硅材料是制作高频、高温、抗辐射、大功率和发光器件的优异材料。具有高可靠、高温、高电压、大功率、节能等特点，应用优势明显。目前全球40%能量作为电能被消耗，而电能转换最大耗散是半导体
2023-08-08 15:52
为提高企业创新能力，为南海区实现产业高质量发展提供有力支撑，11月2日下午，南海区科学技术局局长薛佩华，科技规划和监督股股长熊惠芬，科技成果转化股股长徐贵永，狮山经济发展办副主任姚宇华等一行莅临国星半导体开展调研。国星半导体董事长李军政，董事董园园，副总经理徐亮，总经理助理李瑞迪等人参与了调研。 调研组一行实地考察了公司的研发生产线，详细了解国星半导体的科研平台建设、产学研合作、科技成果转化、生产设备
2023-11-06 14:43
在风力发电储能的场合中，大功率DC-DC的拓扑图是怎么样的，主要功率器件是用的什么？
2024-01-23 10:16
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下，WBG 功率
2022-07-29 14:09
击穿场强、高饱和电子漂移速率、化学性能稳定以及抗辐射等优点， 特别适合制造高温、高频、高功率和抗辐射的功率器件。用宽禁带半导体制成的高温、高频和大
2019-08-12 06:59
击穿场强、高饱和电子漂移速率、化学性能稳定以及抗辐射等优点， 特别适合制造高温、高频、高功率和抗辐射的功率器件。用宽禁带半导体制成的高温、高频和大
2020-01-19 17:22
