随着全球能源的日趋紧张，节能节电迫在眉睫。电能转换是节能节电的重要环节。在电能转换过程中，转换期间的能量损失是影响节能节电的重要因素，始终成为人们关注的焦点。
2012-05-28 10:33
“半导体功率器件的未来主流将是碳化硅器件，SiC应用不会完全取代IGBT，只是在一些高精尖领域应用，有非常大的优势代替IGBT。” 英飞凌科技（中国）有限公司大中华区工业功率
2018-05-21 09:03
在本系列的前几篇文章中[1-7]，我们介绍了基于安森美丰富的SiC功率模块和其他功率器件开发的25 kW EV快充系统。
2022-06-29 11:30
”)正式建立了战略合作伙伴关系，共同致力于车载氮化镓功率器件的开发与量产。 此次合作，双方将充分利用各自的技术优势。罗姆将贡献其卓越的氮化镓器件
2024-12-10 17:24
介绍碳化硅功率二极管，包括碳化硅肖特基势垒二极管（SBD）、碳化硅PiN二极管（PiN），碳化硅结/肖特基二极管（JBS），然后介绍碳化硅聚碳场效应管、DMOSFET和几种MESFET，第三部分是关于碳化硅双极器件，如BJT和IGBT。最后，讨论了SiC
2022-11-04 09:56
SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发
2023-02-09 11:50
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元
2023-02-22 09:15
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元
2018-11-29 14:35
全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）和电源管理解决方案领导厂商台达电子（以下简称“台达”）就第三代半导体GaN（氮化镓）功率器件的开发与量产缔结战略合作伙伴
2022-04-28 16:50
开发的SiC功率模组的特点 1.高耐热接合技术（480℃耐热） 2.采用高耐热封装（300℃耐热） 3.SW高速化，封装的寄生电感降低，可并行工作的模组Layout 4.通过8个并行驱动可支持150A的工作电流 5.成功
2017-09-08 20:20
