介绍了一种利用软开关技术实现的逆变器的设计方案及工作原理，该技术降低了功率器件的开关损耗，提高了逆变器的效率。
2011-09-28 10:52
功率器件（MOSFET/IGBT） 是开关电源最核心的器件同时也是最容易损坏的器件之一。在
2025-05-14 09:03
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模
2023-02-24 11:51
工业4.0时代及电动汽车快速的普及，工业电源、高压充电器对功率器件开关损耗、功率密度等性能也随之提高，传统的Si-MosFet性能已被开发的接近顶峰，SiC MOSFE
2021-09-15 09:34
在功率器件的世界里，开关损耗是一个绕不开的关键话题。
2025-05-07 13:55
理解功率MOSFET的开关损耗 本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并
2009-10-25 15:30
全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43
一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量
2019-06-27 10:22
1、CCM 模式开关损耗 CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式，DCM 模式很简单了。
2018-01-13 09:28
电源开关损耗是电子电路中一个重要的性能指标，它反映了开关器件在开关过程中产生的能量损失。准确测量电源开关损耗对于优化电路
2024-05-27 16:03
