介绍了一种利用软开关技术实现的逆变器的设计方案及工作原理，该技术降低了功率器件的开关损耗，提高了逆变器的效率。
2011-09-28 10:52
功率器件（MOSFET/IGBT） 是开关电源最核心的器件同时也是最容易损坏的器件之一。在
2025-05-14 09:03
`逆变器【LLC】如何利用LLC谐振软开关技术，降低功率器件开关损耗？ →这里有答案←`
2012-08-13 13:30
`纯手工制作迷你逆变器(全图解)【LLC】如何利用LLC谐振软开关技术，降低功率器件开关损耗？ →这里有答案←`
2012-08-15 19:10
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模
2018-11-27 16:37
保持电源电压VDD不变，当VGS电压减小到0时，这个阶段结束，VGS电压的变化公式和模式1相同。在关断过程中，t6~t7和t7~t8二个阶段电流和电压产生重叠交越区，因此产生开关损耗。关断损耗可以用下面
2017-03-06 15:19
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模
2023-02-24 11:51
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等
2017-02-24 15:05
功率MOSFET的开关损耗分析。
2021-04-16 14:17
工业4.0时代及电动汽车快速的普及，工业电源、高压充电器对功率器件开关损耗、功率密度等性能也随之提高，传统的Si-MosFet性能已被开发的接近顶峰，SiC MOSFE
2021-09-15 09:34
