在有限的封 装空间内，如何把芯片的耗散热及时高效的释放到外界环境中以降低芯片结温及器件内部各封装材料的工作温度，已成 为当前功率器件
2023-04-18 09:53
SiC功率器件的封装技术要点 具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体
2009-11-19 08:48
针对功率器件的封装结构，国内外研究机构和 企业在结构设计方面进行了大量的理论研究和开 发实践，多种结构封装设计理念被国内外研究机构提出并研究，一些结构设计方案已成功应用
2023-05-04 11:47
传统的功率半导体封装技术是采用铅或无铅焊接合金把器件的一个端面贴合在热沉衬底上，另外的端面与10-20mil铝线楔或金线键合在一起。这种方法在大功率、高温工作条件下缺乏
2023-10-09 15:20
分析多方面因素综合作用下的功率器件失效过程和机理。半导体模块在实际的工作中不仅涉及热应力，同时还受振动、湿度等因素影响，现有研究主要集中在温度对器件可靠性的影响，较少分析多种因素共同作用下的失效机理。
2024-01-03 16:21 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
SiC器件的封装衬底必须便于处理固态铜厚膜导电层，且具有高热导率和低热膨胀系数，从而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到衬底上。SiN是一种极具吸引力的衬底，因为它具有合理的热导率（60W/m-K）和低热膨胀系数（2.7ppm/℃），与SiC的热膨胀系数 （3.9pp
2023-02-16 14:05
和氮化镓等宽带隙半导体转变。2尽管宽禁带器件近年来已开始进入商业市场，但其功率器件封装设计3尚未成熟，尤其是在高温高压应用方面。在本文中，将介绍为此目的而制造的 5kV
2022-07-29 11:06
。 传统的功率半导体封装技术是采用铅或无铅焊接合金把器件的一个端面贴合在热沉衬底上，另外的端面与10-20mil铝线楔或金线键合在一起。这种方法在大功率、高温工作条件
2018-09-11 16:12
通过对现有功率器件封装方面文献的总结，从器件封装结构散热路径的角度可以将功率
2023-04-26 16:11
器件的可靠性备受业界的期待。而其中关键的影响因素是功效器件封装失效的问题。本文介绍功率器件
2021-07-05 16:45
