功率器件的封装方法，其特征在于，在管芯内充以高热导率的流体使之完全充满。戚者也可以在芯片表面涂敷一层高热导率的薄膜。
2020-05-09 10:28
在有限的封 装空间内，如何把芯片的耗散热及时高效的释放到外界环境中以降低芯片结温及器件内部各封装材料的工作温度，已成 为当前功率器件
2023-04-18 09:53
传统的功率半导体封装技术是采用铅或无铅焊接合金把器件的一个端面贴合在热沉衬底上，另外的端面与10-20mil铝线楔或金线键合在一起。这种方法在大
2023-10-09 15:20
随着半导体功率器件的使用环境和性能要求越来越高，器件散热能力要求也随之提高。器件散热问题导致的失效占了总失效的一半以上，而通过封
2025-01-23 11:13
功率器件的选择应根据电路的要求，考虑功率器件的功率、电压、电流、温度、频率等参数，以及
2023-02-15 15:39
SiC功率器件的封装技术要点 具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体
2009-11-19 08:48
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给
2023-09-24 10:42
针对功率器件的封装结构，国内外研究机构和 企业在结构设计方面进行了大量的理论研究和开 发实践，多种结构封装设计理念被国内外研究机构提出并研究，一些结构设计方案已成功应用
2023-05-04 11:47
通过对现有功率器件封装方面文献的总结，从器件封装结构散热路径的角度可以将功率
2023-04-26 16:11
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能
2023-02-22 16:06
