摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能
2023-02-22 16:06
。 传统的功率半导体封装技术是采用铅或无铅焊接合金把器件的一个端面贴合在热沉衬底上，另外的端面与10-20mil铝线楔或金线键合在一起。这种方法在大
2018-09-11 16:12
和双极型功率晶体管的特点，现已开发出第5代技术的产品，在600V以上中等电压范围内成为主流功率器件，从模块化封装转向分立
2018-08-29 10:20
（参考APEC⒛00）。嵌入功率器件的平面金属化封装技术是其中较好的一种。 图1 不用引线键合的集成功率模块 图2给
2018-11-23 16:56
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑 在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准
2012-12-06 14:32
RF功率器件的性能非常优异，但将这些器件交至客户手中仅仅是开始。事实上，每次交付使用都将由飞思卡尔的技术人员提供各种测试、建模、
2019-07-09 08:17
的PQFN器件在次级整流应用中比竞争器件表现更好 本文小结 对更高能效、更高功率密度和更高可靠性的要求是并将一直是电源设计人员面临的挑战。同样，增强型封装
2018-09-12 15:14
，需要不断完善各种应用电路、易用封装、复合品、额定电流、额定电压的产品阵容，要求具备多元化的技术积累。 在功率元器件领域，罗姆拥有业界顶级水平的产品阵容，在Si基超级
2018-09-26 09:44
MEMS器件有时也采用晶圆级封装，并用保护帽把MEMS密封起来，实现与外部环境的隔离或在下次封装前对MEMS器件提供移动保护。这项
2010-12-29 15:44
RF功率器件的性能非常优异，但将这些器件交至客户手中仅仅是开始。事实上，每次交付使用都将由飞思卡尔的技术人员提供各种测试、建模、
2019-07-05 06:56
