SiC功率器件的封装技术要点 具有成本效益的大功率高温半导体器件是
2009-11-19 08:48
传统的功率半导体封装技术是采用铅或无铅焊接合金把器件的一个端面贴合在热沉衬底上，另外的端面与10-20mil铝线楔或金线键合在一起。这种方法在大
2023-10-09 15:20
近年来，电动汽车、高铁和航空航天领域不断发展，对功率器件/模块在高频、高温和高压下工作的需求不断增加。传统的 Si 基功率器件/模块达到其自身的材料性能极限，氮化镓(G
2022-08-22 09:44
碳化硅（SiC）功率器件因其低内阻、高耐压、高频率和高结温等优异特性，在电力电子系统中得到了广泛关注和应用。然而，要充分发挥SiC器件的性能，封装
2025-02-03 14:21
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给
2023-09-24 10:42
材料。碳化硅器件相较于硅基器件，具有优越的电气性能，如耐高压、耐高温和低损耗。随着新能源汽车渗透率不断提升，叠加800V高压平台的逐步实现，SiC器件市场将高速增长。
2023-06-28 11:19
功率器件封装技术介绍
2022-07-06 16:20
共读好书 曹建武 罗宁胜 摘要： 碳化硅 （ SiC ） 器件的新特性和移动应用的功率密度要求给功率器件的封装
2024-06-23 17:50
随着科技的不断发展，功率分立器件封装技术也在持续进步。为了提高功率密度和优化电源转化效率，封测企业正在为新产品研发更先进
2023-10-13 16:49
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能
2023-02-22 16:06
