I.引言 高效率已成为开关电源（SMPS）设计的必需要求。为了达成这一要求，越来越多许多功率半导体研究人员开发了快速开关器件，举例来说，降低器件的寄生电容，并实现低导
2018-10-08 15:19
：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温工作时，封装可靠性降低；以及模块的多功能集成
2023-02-22 16:06
的差异相互扩散，也会在PN结的两侧产生电荷存储效应，这些因素作用在一起，在任何半导体功率器件内部，就会产生相应的寄生电容。MOSFET的寄生电容是动态
2016-12-23 14:34
1. 真实的半导体开关器件都有寄生的并联电阻，实际上来源于导致泄露损耗的漏电流通路模型。器件的正向压降一定意义上也可看作导致导通损耗的串联寄生电阻所产生。2. MOSF
2021-10-28 08:17
间距等结构参数对其有显著影响。 寄生电容的容值可表示为： 其中，εr 为绝缘材料相对介电常数，A 为导体有效面积，d 为间距。由此可知： 结构参数：匝数增加、线径加粗
2025-05-30 11:31
材料。图3 DaulCool封装（上）和标准QFN封装（下）的截面对比图 当DaulCool封装的器件安有散热器时,热
2012-12-06 14:32
，因此，下管的寄生二极管在死区时间内具有导通损耗，同时具有二级管的反向恢复损耗。 功率MOSFET的寄生参数模型如图1所示，其中，G、D、S分别为
2020-12-08 15:35
RF功率和寄生噪声辐射限制是什么？影响精度的因素有哪些？
2021-05-08 08:30
电阻的功率是在电阻中消耗的功率还是允许过载功率，在电路中任何电器元件的功率计算都是一样。电阻有降压限流的作用但输出的电压
2013-01-03 22:36
在的寄生参数，增加了产品的附加值，保持产品性能优势。5 直接FET封装市场上已有采用多种先进封装的功率MOS-FET供货
2018-08-29 10:20
