在基本半导体特性（带隙、临界电场和电子迁移率）的材料比较中，GaN 被证明是一种优异的材料。“Si 的带隙略高于一个电子伏特，临界电子场为 0.23 MV/cm，而 GaN 的电子迁移率和带隙更宽，这意味着镓和晶格中的氮原子比硅之间的多，”Lidow 说。“它与 SiC 非常相似，两者的带隙都约为 3.26，”Lidow 说。
2022-08-03 08:04
碳化硅功率器件是一种利用碳化硅材料制作的功率半导体器件，具有高温、高频、高效等优点，被广泛应用于电力电子、新能源等领域。下面介绍一些碳化硅
2023-09-28 18:19
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2022-01-13 11:49
功率器件热设计是实现IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠运行的基础。掌握功率半导体的热设计
2025-02-03 14:17
、继电器，光学的器件、惰性气体光源，还有半导体的制冷片，加热阻丝、马达（包含有交流马达，直流马达如PMDC，BLDC，步进电机，舵机等）驱动电路详细讲解，包含基础的功率器件基础
2022-01-14 11:29
电子元器件的基础知识
2023-12-04 10:42
半导体器件基础知识课件下载
2022-07-11 10:00
电子与信息工程的大一新生需了解的元器件的简单的基础知识
2016-03-09 11:05
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2023-10-20 14:58
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2022-01-17 10:08
