电子发烧友

DOH：DirectonHeatsink,热沉。DOH工艺提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升，解决孔洞和裂纹问题提升产品良率及使用寿命。金属基板

2025-03-09 09:31 向欣电子 企业号

本文研究了逆变器核心开关器件IGBT主要参数的选择， 分析三相逆变电路拓扑及功率器件IGBT的应用特点，根据其特点选择合

2019-07-17 08:45

自20世纪80年代开发以来，IGBT已成为风能、太阳能等高压可再生能源应用以及消费和工业用途的电动汽车和电动机的关键。功率半导体、功率器件、

2024-09-12 08:03 向欣电子 企业号

碳化硅（SiC）是一种由硅和碳组成的半导体材料，用于制造电动汽车（EV）、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。与IGBT和MOSFET等传统的硅基功率

2023-12-05 09:39

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高

2025-01-06 17:05 英飞凌工业半导体 企业号

功率器件的正常运行在很大程度上依赖于散热。常用的散热方式有自冷、风冷、水冷和沸腾冷却四种。

2024-07-15 16:31

栅极驱动芯片（Gate Driver）在电机控制中起着关键作用，它将微控制器（MCU）的控制信号进行放大，以驱动功率器件（IGBT/MOSFET）完成导通和关断工作，同时也将微控制器和驱动电路隔离开，保护微控制器的正

2024-08-12 14:31

IGBT器件的结构和工作原理

2024-02-21 09:41

在电力电子技术的快速中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）技术以其高效、可靠的性能，成为众多领域的核心组件。从微小的IGBT芯片到复杂的IGBT器件，每一个组成部分都承载着

2024-10-15 15:23

IGBT作为功率半导体器件，对静电极为敏感。我将从其静电敏感性原理入手，详细阐述使用过程中防静电的具体注意事项与防护措施，确保其安全稳定运行。

2025-05-15 14:55