典型的甲类单管功率放大电路如图 Z0402所示。在图中Rb1和Rb2组成偏置电路；Cb、Ce为交流旁路电容；Tr1、Tr2是输入、出变压器，输出变压器Tr2其初级接晶体管
2021-05-25 07:49
地使用MOSFET和IGBT，特别是IGBT获得了更多的使用，开始全面取代可控硅来做为新型的功率控制器件。二.功率电子器件概览（1）．整流二极
2018-05-08 10:08
载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 "高耐压"、"低导通电阻"、"高频" 这三个特性。另外，带隙较宽，是Si的3倍，因此SiC功
2019-07-23 04:20
)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动
2012-07-09 10:01
)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动
2012-07-09 11:53
及不可控型；或按驱动电路信号性质分为电压驱动型、电流驱动型等划分类别。常用到的功率半导体器件有Power Diode（功率二极管）、SCR（晶闸管）、GTO（门极可关断
2019-02-26 17:04
计算，实测截图如图3所示。 3、MOS管和PFCMOS管的实测演示视频 MOS管损耗测试对于器件评估非常关键，通过示波器的电源分析软件，可以快速有效的对
2018-11-09 11:43
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、简述大家都知道，IGBT单
2021-11-15 08:51
相比极小)瞬态功率原因:外加单触发脉冲负载短路 开关损耗(接通、断开)*(与温度和工作频率是相关的) MOS管的rr损耗(上下桥臂短路损耗)(与温度和工作频率是相关的)
2018-11-21 13:52
大功率开关器件MOS管和大功率BJT一样作为电子开关有着广泛应用！！
2016-01-11 07:24
