与亚微米工艺类似，源漏离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺，降低器件有源区的串联电阻，提高
2024-11-09 10:04
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成
2024-11-04 15:31
电机作为现代工业中不可或缺的动力设备，其制造工艺的优劣直接影响到电机的性能、质量和可靠性。电机的制造工艺涵盖了多个环节，包括机加工、铁芯
2024-06-14 11:49
与亚微米工艺类似，多晶硅栅工艺是指形成 MOS器件的多晶硅栅极，栅极的作用是控制器件的关闭或者导通。淀积的多晶硅是未掺杂的，它是通过后续的源漏离子注入进行掺杂，PMOS
2024-11-07 08:58
晶体管）结构。GaN HEMT由以下主要部分组成： 衬底：氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层
2024-01-09 18:06
功率半导体器件是各类电子产品线路中不可或缺的重要组件。近年来，我国功率半导体器件制造企业通过持续的引进消化吸收再创新以及
2024-09-12 09:46
半导体制造工艺之光刻工艺详解
2023-08-24 10:38
