）上制造，并且用于需要高功率信号传输的商业和军事的各种无线通信产品中。 薄化的晶圆测试 这些高功率RF器件在测试和封装之前需要晶圆减
2022-06-21 14:52
在碳化硅(SiC)上开发了更薄的III族氮化物结构，以期实现高功率和高性能高频薄高电子迁移率晶体管和其他器件。新结构使用 高质量的60纳米无晶界氮化铝成核层来避免大面
2023-02-15 15:34
瑞典的研究人员在碳化硅（SiC）上生长出更薄的IIIA族氮化物结构，以期实现高功率和高频薄层高电子迁移率晶体管（T-HEMT）和其他器件。
2019-02-02 17:29
在将器件切割并组装到封装/散热器中之前，通常在探针台晶片夹盘上利用变薄的晶片执行电测试。当薄的晶圆位于卡盘上时，由于以下原因，在整个薄的晶圆接触区域上均匀地保持真空是至关重要的
2023-02-22 13:57
今天一个机友突然问我一个问题：“手机那么薄，靠什么振动？” 诶，这个问题有点意思~
2018-05-19 11:21
相比，能够以具有更高的杂质浓度和更薄的厚度的漂移层作出600V～数千V的高耐压功率器件。高耐压功率器件的阻抗主要由该漂移
2019-07-23 04:20
Seielect公司推出薄型大功率的薄膜电阻器RNCP 薄膜电阻器系列能可靠地替代高功率厚膜电阻，具有高额定功率和不受硫污染影响。Seielect公司推出
2009-09-22 10:25
，这使得SiC能够承受从600伏特到数千伏特的高电压。与硅元器件相比，可以增加杂质浓度，同时减薄漂移层的厚度。 在高耐压功率元器件中，电阻主要来自于漂移层，其阻值随漂移
2024-02-04 16:25
千万注意！纤薄器件在操作过程中损坏不得
2021-04-29 06:29
