UWB技术前沿Ultrawide bandwidth(UWB)技术前沿技术概述定位特性室内定位系统的性能评判指标LOS与NLOS定位方法1.到达角度（AOA）2.到达时间（TOA）3.到达时间差
2021-07-26 08:16
求FPGA最前沿技术及信息更新时，在哪能看到？
2015-10-16 16:48
因老师讲课需要集成电路前沿相关的PPT，让我在网上找，我是做材料的，不懂电路，故请各位大牛帮忙。大家有没有一些关于集成电路前沿的只是讨论或者相关的PPT，急求，谢谢各位。我的邮箱285014141@qq.com。再次感谢。
2015-10-16 15:30
2020科技前沿十大科技，但科技依然拥有瞬间点燃人们激情的魔力。1月2日，阿里巴巴达摩院发布了“2019十大科技趋势”，涵盖了智能城市、数字身份、自动驾驶、图神经网络系统、AI芯片、区块链、5G等
2021-07-28 06:27
物联网最新前沿技术应用大赏（图文）
2012-08-20 19:39
***********美国TRANSEMNE公司各种蚀刻剂，光刻胶等1) ITO蚀刻剂（/养化锡/铟养化锡蚀刻剂 TE-100）2) 铬蚀刻剂 Chromium Etchants3) 铬金属蚀刻剂TFE（Chromium Cermet Etchant TFE）EMD代理美国TRANSEMNE公司各种蚀刻剂，光刻胶等，品种齐全，欢迎来电来邮索取技术参数与价格联系人：王小姐/陈先生电话：021-61021226电邮：wangdongmei@eccn.com/benchan@eccn.comITO蚀刻剂（/养化锡/铟养化锡蚀刻剂 TE-100）氧化锡/铟氧化锡蚀刻剂TE-100 是应用于微电子行业的氧化锡/铟氧化锡层的选择性蚀刻剂，可高效的对陶瓷，绝缘层，半导体和多种金属底层上的氧化锡/铟氧化锡沉淀膜进行蚀刻，具有边界清晰，蚀刻速度可控的特性，与正负性光刻胶良好兼容。TE-100 不可用于含镍，铜，镍锘合金和铝的材质。特性：外观--深琥珀色蚀刻率（室温25°C）--15-20 ? / sec（浸没）工作温度--40-50 °C漂洗--去离子水存储--20-25 °C有效期--一年（15-25 °C）铬蚀刻剂Chromium Etchants1020 and 1020ACTransene的1020和1020AC铬蚀刻剂是一种高纯度可精确清洁蚀刻铬或氧化铬薄膜的硝酸铵铈产品，1020AC是不含硝酸的低速蚀刻剂，两种产品均可配合正负性光刻胶使用，1020 为渗入型，最小蚀刻尺寸达到0.2微米，1020AC可完成微细凹槽蚀刻，使用后用去离子水清洗即可特性 1020 1020AC外观： 透明，橙色 透明，橙色比重 1.127-1.130 1.127-1.130滤透尺寸 0.2 micron -----工作温度 可变 可变蚀刻率（ 40 °C） 40 ? / sec 32 ? / sec存储 室温 室温清洗 去离子水 去离子水应用：蚀刻温度根据膜的厚度不同变化，室温下蚀刻时间从15秒到60秒。注意：操作必须在通风罩内进行。铬金属陶瓷蚀刻剂TFE（Chromium Cermet Etchant TFE）铬金属蚀刻剂TFE是一种应用于微电子行业的选择型铬蚀刻剂，可高效的蚀刻沉积在铜，镍，金底层上的铬薄膜。此种铁氰酸钾为主要成份的蚀刻剂仅可和负性光刻剂融合，另外，在TFE是蚀刻氧化铬，硅化铬和硅铬氧化沉积层的最佳选择。特性：外观： 琥珀色蚀刻率： 15-20 ? / sec（50 °C）工作温度： 40-60 °C清洗： 去离子水存储： 室温光刻胶： 负性兼容金属： 金，铜，镍应用：铬金属蚀刻剂TFE是专用于蚀刻铜，金，镍材质感光底层上的铬，氧化铬，硅化铬和硅氧化铬薄膜的蚀刻剂。对于厚度较大的薄膜可以通过加热到40-60 °C以加快蚀刻速度。*************
2008-11-01 00:41
前沿消隐（LEB）技术在开关电源电路中是一种非常重要的的电路，对于电流型的芯片大部分都会有前沿消隐电路。
2021-07-04 14:50
雷达前沿配置工具
2021-03-23 06:37
物医学的前沿应用<br/></strong></font></p><
2009-10-15 16:06
。 鼓励发布内容 电子发烧友平台鼓励各企业在规定小组板块（电子行业动态 ）发布最新的产品技术动态和最新的前沿资讯。（如：纳芯微推出单通道MLVDS收发器NLC530x系列 等最新资讯内容）拒绝包含联系方式
2023-05-19 16:49
