Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 结构在制作 CMOS 之前完成，带有MEMS 微结构部分的硅片可以作为 CMOS
2022-10-13 14:52
掺锑和掺磷硅单晶是两种不同的半导体材料，它们的物理特性受到掺杂剂类型的影响。
2024-04-09 09:41
近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成
2017-11-25 11:07
详细介绍这些影响因素。 首先，工艺因素是影响MOS管寿命的重要因素之一。在MOS管的制造过程中，包括沉积材料、掺杂工艺、
2023-12-22 11:43
微量掺杂元素在半导体器件的发展中起着至关重要的作用，可以精准调控半导体的电学、光学性能。对器件中微量掺杂元素的准确表征和分析是深入理解半导体器件特性、优化器件性能的关键
2025-04-25 14:29
本文介绍了多晶硅作为晶体管的栅极掺杂的原理和必要性。
2025-04-02 09:22
我们不断向先进的CMOS的微缩和新存储技术的转型，导致半导体器件结构的日益复杂化。例如，在3D NAND内存中，容量的扩展通过垂直堆栈层数的增加来实现，在保持平面缩放比例恒定的情况下，这带来了更高
2023-01-06 15:27
本征态的半导体材料在制作固态器件时是无用的，因为它没有自由移动的电子或者空穴，所以不能导电。然而，通过一个叫做掺杂的过程，将特定的元素被引入本征半导体材料，这时候，新产生的材料就有了可以导电的性质
2023-11-13 09:36
